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【素材】歪みチタン酸バリウムフィルムでGdScO3やDyScO3基板上に鉛非使用のFeRAM

1 :pureφ ★:04/11/11 01:04:09 ID:???
鉛の新たな代役

 コンピュータのメモリ部品、FeRAM(強誘電体メモリ、RAMの一種)の製造に使われる鉛
は環境に有害である。今回、鉛の有望な代替品が登場した。

 現在、FeRAMは急激な発展を遂げつつある。FeRAMは電気分極、もしくは強誘電性により
機能する。これまで、FeRAMの製造には2種類の揮発性化学物質、すなわちビスマスと鉛が
使用されてきた。

 今回、Kyoung Jin Choiらは、半導体の製造で既に使われている化学物質、チタン酸バリ
ウムを用いた。しかし、同物質をFeRAMに適した物質にするためには、その強誘電性を増強
する必要があった。

 著者らは、基板あるいは基体中の原子の間隔が最上層に堆積する物質とは異なる、歪み
技術(strain engineering)を使った。当該技術では、重要な特性の増強が容易であるも
のの、同様に弱化も容易に起こる。著者らは、GdScO3とDyScO3を基板として使うことによ
り、温度範囲と強誘電性の持続性が大幅に増強された歪みチタン酸バリウムフィルム
(strained barium titanate film)を作成できることを発見した。

 歪み技術は、鉛とほぼ同じ特性を備えた物質を生成することができ、鉛を使用しない
FeRAMと高速電気光学装置の開発へつながるであろうと著者らは述べている。

Science Highlight 2004年 11 月 5日(金)
http://sciencemag.jp/highlights/highlight.html

Enhancement of Ferroelectricity in Strained BaTiO3 Thin Films
K. J. Choi, M. Biegalski, Y. L. Li, A. Sharan, J. Schubert, R. Uecker, P. Reiche, Y. B. Chen,
X. Q. Pan, V. Gopalan, L.-Q. Chen, D. G. Schlom, and C. B. Eom
Science 5 November 2004: 1005-1009.
http://www.sciencemag.org/cgi/content/abstract/306/5698/1005

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2 :名無しのひみつ:04/11/11 01:04:45 ID:4F02EzoA
2

3 :名無しのひみつ:04/11/11 01:19:09 ID:oQOUyhb6
2だニダ


4 :NAO ◆NAO.OOuUr. :04/11/11 01:21:16 ID:ktWJ0bSy
で、コストはいかほど?


(4さま? もういいよあんなの・・・)

5 :名無しのひみつ:04/11/11 01:27:03 ID:Lzo9n3FR
なんかしらんが

すげえ!!!

とだけいっておこう(・_・)

6 :名無しのひみつ:04/11/11 01:46:47 ID:x03gqmR1
鉛って最近目の敵にされてるからねぇ。
実際体にも環境にも悪いし。

確か釣りのオモリも鉛から鉄に変えようって話を聞いた事があるが。
鉛を放置すると毒になるが、鉄なら栄養源になるからいいんだってさ。

7 :名無しのひみつ:04/11/11 02:37:03 ID:4arthXNt
京セラあたりがヒットしそうだな。

8 :名無しのひみつ:04/11/11 03:03:29 ID:Ioqz4Lwe
FeRA?

9 :オレオレ!オレだよ、名無しだよ!!:04/11/11 03:37:03 ID:hbvrB9HS
>GdScO3やDyScO3基板上に鉛非使用のFeRAM

スレタイみて何か?と思たよ

yうわなにをすrybあqwせdrftgyふじこl

10 :名無しのひみつ:04/11/11 10:04:19 ID:0Yjig2iL
GdとかDyとかScってあまりみない元素記号だね。

11 :名無しのひみつ:04/11/11 11:49:56 ID:8TTQWoAc
これでも一般人にも何とかわかるように書いたんだろうけど、全くわからん。
この元々の文章をスラスラ読んで「なるほど、すげー、つか、ここをああやればもっと」
とかな奴らもいっぱいいるんだろな・・・
そう考えると、何か凄いな。

12 :名無しのひみつ:04/11/11 14:26:08 ID:K8r83UrL
チタバリってピエゾセラミックスじゃん?

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